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選型：
BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ；BLC10G18XS-400AVT；BLC10G18XS-602AVT
BLC10G22XS-400AVT；BLC10G22XS-551AVT；BLC10G22XS-551AVTZ；BLC10G22XS-602AVTZ
BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ
BLC10G27XS-551AVT；BLC10G27XS-400AVT
BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ
360W LDMOS 封裝非對稱 Doherty 功率晶體管，適用于頻率為 1805 MHz 至 1880 MHz 的基站應用。
BLC10G18XS-400AVT
400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為1805 MHz至1880 MHz的基站應用。
BLC10G18XS-602AVT
600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為1805 MHz至1880 MHz的基站應用。
BLC10G22XS-400AVT：
400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2200 MHz的基站應用。
BLC10G22XS-551AVT：
550W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2100 MHz至2200 MHz的基站應用。
BLC10G22XS-602AVT：
600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2170 MHz的基站應用。
BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ
320 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2500 MHz至2700 MHz的基站應用。
BLC10G27XS-551AVT
550 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2620 MHz至2690 MHz的基站應用。
BLC10G27XS-400AVT
400W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2496 MHz至2690 MHz的基站應用。
特點和優勢:
出色的堅固性
高效率
低熱阻，提供出色的熱穩定性
更低的輸出電容，可提高 Doherty 應用的性能
專為低記憶效應而設計，提供出色的數字預失真能力
內部匹配，易于使用
集成ESD保護
符合關于有害物質限制 (RoHS) 的指令 2002/95/EC
應用：
射頻功率放大器，適用于1805 MHz至1880 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用
