- 產(chǎn)品詳情
LS26VNS N 溝道單 JFET 壓控電阻器具有漏源電阻，該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = -1.0V時，最小RDS為14 Ω。當VGS接近時，-6.0V RDS的夾斷電壓迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。對于 P 通道版本，請參閱我們的LS26VPS。N 溝道和 P 溝道部件均由相同的芯片幾何形狀制成，因此具有互補性。該器件采用 TO-92 3L RoHS、SOT-23 3L RoHS 和 DFN 8L RoHS 封裝以及裸片形式。
訂購信息
以下是訂購此部件時的選項：
LS26VNS TO-92 3L RoHS
LS26VNS SOT-23 3L RoHS
LS26VNS DFN 8L RoHS
特性
?連續(xù)電壓控制電阻
?高關(guān)閉隔離
?高輸入阻抗
?增益測距能力
?簡化的驅(qū)動電壓能力
?無電路交互
?寬范圍信號衰減
好處
?寬范圍信號衰減
?增益測距
?簡化柵極驅(qū)動
?高擊穿電壓
?無電路交互
應(yīng)用
?可變增益放大器
?自動增益控制
?壓控振蕩器
?小信號衰減
?濾波器范圍控制
