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  MICRON DDR4 內存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區別：16位預取機制（DDR3為8位），在同樣內核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數據標準規范更加安全可靠，數據安全可靠性進一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環保節能。

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  STATEK HTO57高溫晶體振蕩器32.768kHz,1.5-50MHz 2024-08-27 10:16:59

  STATEK HTO57高溫晶體振蕩器，專為250°C極端高溫設計，尺寸5.0x7.0 mm，工作電壓3.3V/5.0V，適用于石油鉆探、旋轉傳感器、地下鉆井及航空領域，提供高穩定性、快速啟動和抗沖擊振動特性。