DATEL DAC 產品提供 高速、高精度、寬溫、軍工級 多種選擇,適用于從消費級到航空航天級的廣泛需求。如需具體型號推薦,可進一步提供應用場景參數(如采樣率、溫度范圍等)。
瑞薩電子RL78/F22和F25系列是專為汽車電子和工業控制設計的高可靠性微控制器,具備超低功耗(1.8V~5.5V寬電壓)、高性能(40MHz主頻)和功能安全(ISO 26262 ASIL-B)特性。F22(128KB Flash)適用于經濟型應用如車燈控制,而F25(512KB Flash)支持CAN-FD和更復雜場景如車身控制模塊。全系集成硬件加密(AES/TRNG)、豐富外設(ADC/DAC/觸摸感應),并提供完整開發工具鏈,是汽車級嵌入式系統的理想選擇。
Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太網交換芯片,集成了5個10/100/1000Mbps PHY和3個高速SerDes接口(包含2個2.5G SerDes和1個可配置為2.5G SerDes或RGMII的接口)。特別適用于SMB交換機、工業網關和云管理交換機等應用場景。
MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對性能要求高的場景,具備低功耗(25°C時連續功耗≤0.70W)、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點,應用領域包括STRATUM III、電信、微波無線電等。
DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采樣率的數字模擬轉換器(DAC),專為高速信號處理而設計。它采用低功耗架構,支持+3V至+5V單電源供電,內置1.2V精密基準電壓,并具備CMOS輸入鎖存功能,適用于醫療成像、通信基站、測試測量等高精度、高動態范圍應用場景。
Semelab(現屬TT Electronics)的RF功率MOSFET產品,具備0.52mΩ超低導通電阻(以D2000系列為例)、高增益(最高13dB)、寬頻帶(1MHz - 2GHz)及緊湊封裝(DP/SO8/DK等)特性,滿足VHF/UHF通信、廣播發射、工業加熱、汽車電子(需補充具體型號)等高頻高功率場景需求。
Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101認證的汽車級MOSFET,采用PowerTrench?技術實現0.52mΩ超低導通電阻和414A超高電流能力,搭配5×6mm2 SO-8FL緊湊封裝優化布局空間。其低柵極電荷(Qg)設計提升開關效率,并通過RoHS/無鹵素環保認證,專攻新能源汽車(電機驅動/OBC)、工業自動化(伺服機器人)、電池管理(BMS)及高頻電源系統(同步整流)等高可靠性場景,滿足PPAP文檔要求。
onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件,具有3.5mΩ超低導通電阻和119A大電流承載能力,采用緊湊型DFN5封裝(5x6mm)優化空間占用,并通過3.5°C/W超低熱阻和軟體二極管恢復技術顯著提升散熱效率與開關性能,適用于電機驅動、電池保護(如電動汽車)、同步整流及汽車/工業電源管理等場景
Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷單層直流圓片電容器系列,涵蓋1kVDC至6kVDC額定電壓及10pF-33nF電容范圍,適用于高壓濾波(測試電壓達額定值200%)、工業控制及醫療設備等場景。
Ampleon BLP981 是一款高頻大功率 LDMOS 晶體管,專為廣播、航空電子等嚴苛應用設計,工作頻率覆蓋 HF 至 1400 MHz,支持 170W 輸出功率,具備 23.8 dB 高增益和 73% 漏極效率(700 MHz 測試),集成 ESD 保護,可耐受 40:1 電壓駐波比的極端負載失配,采用 TO-270-2F-1 封裝(3 引腳帶散熱法蘭),符合 RoHS 標準,典型應用于 DVB-T 發射機、機載通信和專業無線系統,最大結溫 225°C(需控制長期高溫),工作電壓 108V。
Device Engineering 的 DEI107xA 系列是軍規級(-55~+125°C)ARINC 429 線路驅動器,可將 TTL/CMOS 串行數據轉換為標準 ±5 V 三電平差分信號,12.5 k/100 k 雙速率可選、±9.5~16.5 V 寬壓供電、內建短路保護與 2 kV ESD,8-SOIC 散熱封裝;1073A/74A/75A 另帶三態輸出便于總線共享,為飛控、導航、航電測試提供高可靠、高速數據通信一站式驅動方案。
DAC-1212SE是DATEL公司推出的12位125MSPS高速數字模擬轉換器,具有72dB動態范圍和35ns建立時間的高性能表現,支持3-5V單電源供電及內置/外接基準電壓。該器件采用28引腳TSSOP封裝,具備-40°C至105°C寬溫工作能力與RoHS認證,其2-20mA可調輸出、0.075W低功耗模式及CMOS輸入鎖存特性,使其在通信基站、醫療成像、軍工電子和工業控制等嚴苛環境中具有顯著優勢。
Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝,1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋,VHF增益20 dB、UHF 16 dB,可承受20:1 VSWR,12.5 V/28 V/50 V多電壓選項,全系列RoHS合規,提供鉆石增強封裝,廣泛應用于通信基站、國防干擾機、醫療及EMC測試等高可靠性場景。
Semelab推出的D1008UK(TetraFET)是一款采用推挽架構的80W寬帶射頻功率MOSFET,覆蓋1MHz-500MHz頻段,具備13dB高增益和75%峰值效率(400MHz),其TO-270金屬陶瓷封裝配合1.0°C/W超低熱阻,可耐受20:1 VSWR失配,專為高頻通信(業余電臺/廣播發射機)、軍用雷達、工業射頻加熱及推挽放大器等高要求場景設計。
RO3206是一種高性能陶瓷填充玻璃纖維增強層壓板,作為RO3000系列的升級產品,具有6.15±0.15的穩定介電常數(10GHz)和極低損耗(0.0027@10GHz),廣泛應用于汽車GPS、5G基站、衛星通信等高頻場景。
Q-Tech Corporation的QTCC230系列為低剖面(2.5×3.2×1.15mm)微型SMD晶體振蕩器,工作頻率范圍1.5 - 133MHz(32.768kHz),電壓支持1.8V、2.5V、3.3V(直流),采用密封表面貼裝封裝(可選軍用屏蔽)。適用于軍事/航空、通信、工業、嵌入式系統等領域。
NXP NCJ29D5是一款面向汽車場景的UWB芯片,采用6-8.5GHz頻段和Arm? Cortex?處理器,通過厘米級定位(誤差<10cm)和硬件加密引擎,為智能鑰匙(PEPS)、代客泊車及無感支付(ETC/充電)提供超高精度空間感知。其HVQFN40封裝集成電源管理單元,在防中繼攻擊的同時實現超低功耗,全面滿足車規級動態環境需求。
SST4391是Linear Integrated Systems推出的高性能單N溝道JFET開關,可替代Siliconix 2N/PNSST4391,具備30Ω超低導通電阻和15ns快速切換能力。其提供TO-18/TO-92/SOT-23三種封裝,支持-65℃~200℃寬溫工作(2N/PN封裝)。
Princeton Microwave PmT DRO-SMT 是一款 6–24 GHz 可定制表面貼裝介質諧振振蕩器,輸出 ≥13 dBm,相位噪聲低至 –95 dBc/Hz@100 kHz,溫漂 ±0.05 %,以低相噪、小體積和高穩定性服務于微波通信與雷達系統。
OH4系列是Connor-Winfield公司研發的高精度恒溫晶體振蕩器(OCXO/OCVCXO),采用14引腳DIP封裝,頻率覆蓋6.4MHz~40MHz(可定制更高頻率),提供固定/可調頻率選項,具有超低頻率漂移(±5ppb穩定度)、多輸出模式(LVCMOS/HCMOS/正弦波)及強環境適應性(抗震10G/抗沖擊1500G),廣泛應用于5G基站同步、衛星導航、測試儀表及軍工航天等對時序要求嚴苛的領域,符合ITU-T G.8262/3標準。
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