SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2024-07-03 09:18:47 瀏覽:452
Solitron Devices SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET的主要特點和技術規格如下:
高阻斷電壓與低通態電阻:該MOSFET具有高達1200V的阻斷電壓(Vs = 1200V),并且具有低通態電阻(Ros(on) = 50 mΩ),這意味著在開關狀態切換時能夠減小功耗,提高效率。
高速開關與低電容:SD11721適合高速開關應用,并且具有低電容特性,這有助于減少開關過程中的能量損失。
高操作結溫能力:該MOSFET能夠在高溫環境下工作,其操作結溫范圍達到-55℃至+175℃。
快速而健壯的內置體二極管:這是該MOSFET的一個重要特點,能夠快速且有效地處理反向電流。
優化的塑料封裝:采用TO-247-4塑料封裝,具有優化的封裝設計和分離的驅動源引腳(4-G),以及8mm的漏極和源極之間的爬電距離(creepage distance),確保了在高溫和高濕等惡劣環境下的穩定性和可靠性。
應用廣泛:SD11721適用于多種應用,包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅動器、高壓DC/DC轉換器以及開關模式電源等。
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。
推薦資訊
Rogers?的IsoClad層壓板由任意玻璃纖維提高PTFE復合材質可以用于高頻率應用PCB基材和通信天線。IsoClad層壓板的介質系數(Dk)低,使用范圍從2.17到2.33介電損耗低,X頻帶耗損角的正切值處于0.0009到0.0018吸濕率低。
IR HiRel集成電路?的光伏隔離器(PVI)提供單通道和雙通道光隔離輸出,可用作直接驅動分立器件輸出功率MOSFET和/或IGBT的柵極。該系列機械設備為設計師提供了構建定制固態繼電器的操作靈活性,可操控1000V赫100A以上的負載。
在線留言
主站蜘蛛池模板: 深水埗区| 和平区| 营山县| 富川| 绵竹市| 临潭县| 兴山县| 石林| 凤凰县| 馆陶县| 澎湖县| 雷波县| 津南区| 抚顺县| 剑河县| 精河县| 苏尼特右旗| 泰和县| 佳木斯市| 贺州市| 甘孜县| 临澧县| 嵊泗县| 额尔古纳市| 原平市| 吉木萨尔县| 镇远县| 翁源县| 岫岩| 缙云县| 泾阳县| 天祝| 三门县| 宜丰县| 洪洞县| 揭东县| 永寿县| 徐闻县| 胶州市| 朝阳市| 永年县|