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　　一、產(chǎn)品特點(diǎn)

　　1. 采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)。

　　2. 允許多個(gè)線焊點(diǎn)，A型外殼最少可接受7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少可接受15個(gè)焊點(diǎn)。

　　3. 低介電損耗(D)，高Q值，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。

　　二、關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)

　　1. 絕對(duì)容差低至±5%。

　　2. 溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。

　　3. 具備堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，兩種外殼尺寸(120 x 35 mils和240 x 35 mils)均支持多次線焊(A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn))，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。

　　三、應(yīng)用領(lǐng)域

　　1. 混合組裝。

　　2. 低通LC、RC或LRC濾波器。

　　3. 直流供電的射頻阻斷。

　　4. 阻抗匹配。

　　5. SiC或GaN高頻/高功率應(yīng)用。

　　四、電氣規(guī)格

　　1. 電容范圍：5 - 100pF。

　　2. 1kHz下絕對(duì)容差：±5%; -55°C至125°C絕對(duì)溫度系數(shù)：±50ppm/°C。

　　3. 工作溫度：-55至+150°C;最大工作電壓：100V。

　　4. 1MHz下介電損耗因數(shù)最大為0.01。

　　5. 1kHz、1000小時(shí)、70°C、100VDC下絕對(duì)值穩(wěn)定性：±0.25%;

　　額定電壓2倍、25°C、5秒短時(shí)間過載：±0.25%;

　　按MIL - STD - 202方法107F熱沖擊：±0.25%;

　　按MIL - STD - 202方法106*耐濕性：±0.25%;

　　100小時(shí)、150°C高溫暴露：±0.25%;

　　-65°C、45分鐘、100VDC低溫操作：±0.25%。

　　五、機(jī)械規(guī)格

　　1. 芯片基板材料為硅;介質(zhì)為二氧化硅。

　　2. 頂部覆蓋層為至少1微米厚的金。

　　3. 外殼尺寸見“外殼尺寸值和公差”表;無鈍化。

　　4. 焊盤數(shù)量為1;背面覆蓋層(僅限環(huán)氧樹脂)為TiW/Au。

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型號(hào)：

BRCPBKITO1

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