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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  DEI 1166-TES-G八通道分立數字接口IC 2024-04-22 09:38:10

  DEI1166-TES-G是一款用于航空電子系統的八通道分立數字接口BICMOS器件，具有多種特性，如內部隔離二極管和3級引腳注入保護標準。適用于處理常見的八種離散信號，并提供穩定的信號處理能力，滿足航空行業標準。