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Delta HMQ281X系列電感

2024-10-18 08:49:21

Delta HMQ281X系列電感6.8-22μH，DCR電阻2.86mΩ，額定電流28A，尺寸28.0x28.0x17.78mm。

QTCH系列高溫小型SMD晶體振蕩器1-48MHz Q-Tech

2024-10-15 09:14:53

QTCH系列SMD晶體振蕩器專為高溫環(huán)境設(shè)計(jì)，支持1.8Vdc至5.0Vdc的寬泛供電電壓，低功耗小于3mA，工作溫度范圍從-55oC到+200oC。提供2.5x3.2mm、3.2x5.0mm和5.0x7.0mm三種封裝尺寸，高頻率穩(wěn)定性和RoHS合規(guī)，符合MIL-PRF-55310軍事級(jí)篩選測(cè)試，適用于鉆探、石油服務(wù)和高溫應(yīng)用。

BOCSF-XXXMXX-XXXXX晶體振蕩器Bliley

2024-10-15 09:03:02

Bliley Technologies, Inc.推出的BOCSF-XXXMXX-XXXXX系列非PLL晶體振蕩器，專為精密電子領(lǐng)域設(shè)計(jì)，具有1.5MHz到170MHz的寬頻率范圍、1.8V、2.5V和3.3V的供電電壓選項(xiàng)、±25ppm、±50ppm和±100ppm的溫度穩(wěn)定性，以及低功耗設(shè)計(jì)。其采用SMD結(jié)構(gòu)和3.2 x 2.5mm封裝，符合Mil-Std-202標(biāo)準(zhǔn)，適用于軍事、衛(wèi)星通信、電信和精密儀器儀表等高端應(yīng)用，在-55°C至+125°C的極端溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定可靠的時(shí)鐘信號(hào)。

PmTA-721-45-2.3低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-10-15 09:00:08

Princeton Microwave Technology的PmTA-721-45-2.3低噪聲放大器是一款專為7至21 GHz頻率范圍設(shè)計(jì)的高性能微波放大器，適用于通信和雷達(dá)系統(tǒng)。其主要特點(diǎn)包括45 dB的小信號(hào)增益、2.3 dB的低噪聲系數(shù)、50歐姆的輸入輸出匹配、內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)和偏置排序、無(wú)條件穩(wěn)定性、密封模塊設(shè)計(jì)以及-50oC至100oC的寬工作溫度范圍。該放大器通過(guò)提供穩(wěn)定的電源管理和操作，確保在各種極端環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行，滿足現(xiàn)代通信和雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)高性能放大器的需求。

Linear Systems J174,J175,J176,J177小型DFN封裝P通道JFET開(kāi)關(guān)

2024-10-14 09:28:38

Linear Systems的J174、J175、J176、J177系列P溝道JFET開(kāi)關(guān)采用小型DFN封裝，具有低導(dǎo)通電阻（≤85Ω）和低柵極開(kāi)啟電流（10pA），可替代Fairchild和Siliconix-Vishay零件。這些開(kāi)關(guān)提供DFN 8L、TO-92 3L、SOT-23 3L及裸片封裝，適用于需要低電阻和低工作電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用

iNRCORE1000B-5003FXNL單端口變壓器模塊

2024-10-12 09:16:12

iNRCORE 的 1000B-5003FXNL 是一款專為嚴(yán)苛環(huán)境設(shè)計(jì)的 10/100 BASE-T 單端口變壓器模塊，尺寸為 27.94 × 7.62 × 8.64 mm，采用表面貼裝技術(shù)（SMT），支持雙通道配置和全面的接收與發(fā)送配置，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 1000 Mbps，隔離電壓為 1500V。具備 50 針?lè)庋b、寬工作溫度范圍（-55°C 至+125°C）和寬儲(chǔ)存溫度范圍（-55°C 至+125°C），采用 Sn100 表面處理，濕度敏感度等級(jí)為 3 級(jí)，符合 RoHS 認(rèn)證，適用于軍用和航空級(jí)別的高可靠性應(yīng)用。散裝包裝便于各種規(guī)模的生產(chǎn)需求。

Statek SWCX1掃頻石英晶體6-125MHz

2024-10-12 09:13:11

Statek SWCX1 掃頻石英晶體頻率范圍為 6 MHz 到 250 MHz，具有抗輻射能力（耐受 100 kRad 及以上輻射），采用表面貼裝設(shè)計(jì)，三點(diǎn)安裝結(jié)構(gòu)提供高抗沖擊性。產(chǎn)品特點(diǎn)包括超高可靠性、定制設(shè)計(jì)、軍用和空間篩選可用、低老化率、關(guān)鍵工藝在 10 級(jí)潔凈室中進(jìn)行，符合 NASA 標(biāo)準(zhǔn)。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋軍事與航空航天、衛(wèi)星、太空探測(cè)系統(tǒng)、深空探測(cè)器和遙測(cè)等高可靠性場(chǎng)合。

XL-1A和XL-1C晶體諧振器Connor-Winfield

2024-10-12 09:09:50

Connor-Winfield XL-1A 和 XL-1C 晶體諧振器是用于基頻和泛音 AT 切割晶體的系列產(chǎn)品，采用 7.62x5.08 毫米密封陶瓷封裝。頻率范圍為 8 至 100 MHz，頻率容差和溫度穩(wěn)定性均為±50 ppm，工作溫度范圍為-10°C 至 60°C，并聯(lián)電容為 7 pF，驅(qū)動(dòng)電平典型值為 0.1 mW，具有±5 ppm 的抗沖擊性和抗振性，絕緣電阻為 500 M Ohm @100Vdc ±15Vdc。產(chǎn)品特點(diǎn)包括基頻或泛音 AT 切晶體、±50ppm 頻率校準(zhǔn)、±50ppm 溫度穩(wěn)定性、表面貼裝封裝、卷帶包裝，且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)/無(wú)鉛。

cMOR2805S單/雙通道DC-DC轉(zhuǎn)換器Interpoint

2024-10-11 09:24:35

Interpoint cMOR系列DC-DC轉(zhuǎn)換器（單/雙通道）采用薄型封裝，功率達(dá)120W，輸入電壓15-50V，在MIL-PRF-38534 H/K類認(rèn)證設(shè)施中制造，密封于鋼殼內(nèi)，適用于高可靠性項(xiàng)目，工作溫度-55°C至+105°C。

Ampleon BLF1043功率晶體管頻率HF-1000MHz

2024-10-11 09:21:07

Ampleon BLF1043是一款用于基站的10W功率放大器，工作頻率范圍HF至1000MHz。其特點(diǎn)包括簡(jiǎn)易功率控制、穩(wěn)定性好、高功率增益（16.5dB）、熱穩(wěn)定性佳、寬帶操作和SMD封裝，適用于基站RF功率放大器（如GSM、EDGE、CDMA）、多載波應(yīng)用（800-1000MHz）和廣播驅(qū)動(dòng)器。技術(shù)參數(shù)包括1000MHz頻率范圍、1dB增益壓縮點(diǎn)10W名義輸出功率、16.5dB功率增益、38%漏極效率和-25dBc三階互調(diào)失真。

BAR88-02V硅PIN二極管Infineon英飛凌

2024-10-11 09:18:30

Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設(shè)備設(shè)計(jì)，具有低正向電阻（1 mA時(shí)為1.5Ω）、低電容（0.28 pF@1 GHz）、極低信號(hào)失真和無(wú)鉛RoHS封裝。適用于無(wú)線通信（如手機(jī)、WLAN）和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)（如LTE、5G），技術(shù)參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復(fù)時(shí)間。因其高速開(kāi)關(guān)和低信號(hào)失真特性，符合綠色制造標(biāo)準(zhǔn)。

Solitron小信號(hào)JFETs

2024-10-10 09:12:33

Solitron公司生產(chǎn)的JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)JFETs，提供N型和P型兩種類型，導(dǎo)通電阻小于25Ω，經(jīng)過(guò)S級(jí)等效篩選，是Vishay和Siliconix產(chǎn)品的優(yōu)越替代品。

Vanguard Electronics共模扼流圈電感器

2024-10-09 09:52:35

Vanguard Electronics推出了新的共模扼流圈電感器系列，這些電感器設(shè)計(jì)用于在惡劣環(huán)境下工作，頻率覆蓋100KHz至600KHz以上。它們具有緊湊設(shè)計(jì)、多種尺寸選擇、-55°C至125°C的寬溫工作范圍和多種電感電流組合。SCMN系列還符合MIL-STD-981標(biāo)準(zhǔn)，適合軍事和高端工業(yè)應(yīng)用。

PDI L4系列石英晶體振蕩器

2024-10-09 09:44:32

PDI L4系列石英晶體振蕩器提供密封石英晶體和多種封裝選項(xiàng)，支持客戶定制頻率和參數(shù)。其頻率范圍廣，穩(wěn)定性高，具有定制的頻率容差、等效串聯(lián)電阻和負(fù)載電容，老化率低，尺寸緊湊，適用于通信、醫(yī)療、工業(yè)控制、汽車(chē)和消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。

HCME0995大電流SMT功率電感器DELTA臺(tái)達(dá)

2024-09-29 10:24:01

HCME0995大電流SMT功率電感器是臺(tái)達(dá)（DELTA）公司推出的一款高性能電感器，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該電感器具有緊湊的表面貼裝封裝，能夠有效降低電路中的電流噪聲和電磁干擾，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。其核心材料和繞組設(shè)計(jì)使得它在高頻率下也能保持優(yōu)良的性能，適合于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

BLA6G1011LS-200RG航空電子功率晶體管Ampleon

2024-09-29 10:09:29

Ampleon的BLA6G1011LS - 200RG是一款200W專為航空電子應(yīng)用設(shè)計(jì)的LDMOS功率晶體管，工作頻率在1030 MHz至1090 MHz，具有如28V電源電壓、100 mA靜態(tài)電流、200W輸出功率、20 dB功率增益、65%效率等典型性能參數(shù)，還有易于電源控制、集成ESD保護(hù)、增強(qiáng)堅(jiān)固性、高效率、優(yōu)異熱穩(wěn)定性、專為寬帶操作、內(nèi)部匹配易用、符合RoHS指令等特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)。

WYO222MCMBF0KR陶瓷圓盤(pán)高頻電容器VISHAY

2024-09-29 10:06:08

WYO222MCMBF0KR是VISHAY生產(chǎn)的單層陶瓷電容器，由兩面鍍銀陶瓷盤(pán)構(gòu)成，連接引線為直徑0.6毫米鍍錫銅線，有直線或扭結(jié)引線兩種形式、5.0毫米或7.5毫米的引線間距，外部涂層為藍(lán)色阻燃環(huán)氧樹(shù)脂。它符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性、多種特性，電容范圍1.0 nF - 12 nF、公差±20%，絕緣電阻等參數(shù)明確，額定電壓因應(yīng)用類別而異，還有不同的測(cè)試電壓，適用于多種場(chǎng)景。

Rogers curamik Performance?基板

2024-09-26 10:41:35

Rogers curamik Performance基板為高性能電子基板，采用活性金屬釬焊工藝與銅焊接的Si3N4陶瓷材料，適用于汽車(chē)電力電子等需長(zhǎng)壽命、高功率密度和高穩(wěn)定性的場(chǎng)景，有熱導(dǎo)率高（20°C時(shí)達(dá)90W/mK）、6種厚度選項(xiàng)、特定熱膨脹系數(shù)（20 - 300°C為2.5ppm/K）等特性，具備高性能應(yīng)用、高功率密度、成本與性能平衡等優(yōu)勢(shì)，還有母板尺寸、最大可用面積、銅剝離強(qiáng)度以及銅線寬度/間距等相關(guān)參數(shù)。

IR2104STRPBF柵極驅(qū)動(dòng)器IC Infineon英飛凌

2024-09-23 09:54:33

IR2104STRPBF是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC（可選8引腳SOIC或PDIP封裝），適用于IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)。它有諸多主要特點(diǎn)，如專為自舉操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道、能在600V下完全運(yùn)行、對(duì)負(fù)瞬態(tài)電壓容忍度高、不受dV/dt影響、柵極驅(qū)動(dòng)供電電壓10 - 20V、有欠壓鎖定功能、兼容多種邏輯輸入、防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯、雙通道匹配傳播延遲、內(nèi)置死區(qū)時(shí)間、高邊輸出與輸入同相、有關(guān)斷輸入可關(guān)閉雙通道等。

Broadcom BCM85667：高性能16通道PCIe Gen6與CXL3.1重定時(shí)器

2024-09-19 09:38:34

Broadcom BCM85667是一款高性能的16通道PCIe Gen6和CXL 3.1集成MAC和PHY重定時(shí)器，具備低功耗和低延遲特性。它支持多種數(shù)據(jù)速率，擴(kuò)展信號(hào)損耗超過(guò)36 dB，并提供靈活的通道配置和多種電源模式。設(shè)備還集成了多項(xiàng)高級(jí)功能，如動(dòng)態(tài)偽端口、I2C/SPI接口、環(huán)回測(cè)試等，采用5nm CMOS工藝，功耗僅為13瓦，適用于HPC、AI服務(wù)器等高要求場(chǎng)景。