Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調節二極管是一系列0.5瓦特的器件,提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇,具有10%的標準公差。這些器件以其高源阻抗、內部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱,能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內穩定調節電流。它們提供靈活的安裝選項,對ESD不敏感,并且具有固有的輻射硬度,適用于需要精確電流控制的電子應用。
LS1012A是一款低功耗處理器,專為電池或USB供電、空間受限的網絡和物聯網應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心,運行速度達1GHz,功耗僅為1W,支持線速網絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容,屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口,以及多種外設和安全功能,封裝為211 FC-LGA,9.6x9.6 mm。
OX200 - DK是12V直流驅動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計,特點有頻率穩定性高(±5.0ppb)、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規。電氣參數包括供電電壓范圍、輸出特性,還有多種頻率穩定性相關參數。
Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器,額定電壓為15000V,電容值范圍從0.0005到0.500uf,提供±2%至20%的容差選項,工作溫度范圍為-55°C至85°C,絕緣電阻為25至50k ΩF,損耗因子在1,000Hz時為0.6%,測試電壓為額定電壓的150%,適用于高壓電路。
Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數字信號處理器,專為5G基礎設施和定制通信系統設計,具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力,適用于網絡監聽、小型無線電單元和中繼器等應用,提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。
NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器,專為汽車儀表盤和工業應用設計,具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構,支持雙WVGA顯示和HUD變形,集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性,滿足ISO26262 ASIL-B標準,并提供豐富的軟件支持和開發工具。
PDI VC29系列VCXO可在苛刻環境下精確輸出頻率,適用于低噪、低抖、高振環境。規格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩定性、溫度、電壓等。性能參數包括調頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置,特定包裝材料,符合相關標準,適用于通信、精密儀器、工業自動化設備等。
Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計,具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點,優化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型,廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動等領域,包括工業和汽車應用,特別是車規級產品。
CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝,適用于高頻率穩定性和低抖動應用,工作電壓為3.3V或5.0V,頻率穩定性為±25ppm或±50ppm,溫度范圍為-20至70°C,頻率范圍為1.0至156.25MHz,負載電容為15pF(LVCMOS)或50pF(HCMOS),存儲溫度為-55至125°C,采用密封陶瓷封裝,符合RoHS標準的無鉛焊接。
IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用SOT-23封裝,專為低功耗和低頻率應用設計,具備寬廣的安全工作區域、行業標準認證、低頻應用中的高性能等特點,適用于DC開關、負載開關等應用,技術規格包括最大漏極電流-4.3A、導通電阻最大50mΩ等,非常適合電源管理、電機控制和電池供電設備。
Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管,專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內部匹配設計以及優秀的數字預失真能力。適用于多載波應用,提供高帶寬和高數據速率,技術參數包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。
Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本,電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置,提供多種選擇。該電容器可線焊,采用特定介質和基板,尺寸小,用于微波電路混合封裝。其電氣規格涵蓋工作電壓、損耗因數、Q值、溫度系數和工作溫度范圍等。
Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機,具備50個通道和端口,支持高速數據傳輸、低延遲和靈活的fabric拓撲結構,特別適合數據中心和云服務提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構、48個DMA通道、消除PCIe拓撲限制、專為NVMe AFA系統設計、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性,旨在構建高性能、低延遲、可擴展的PCIe fabrics。
QTCV356系列VCXOs(壓控晶體振蕩器)是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時鐘方波發生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器,適用于低電壓應用。其主要特性包括寬頻率范圍(1.000MHz到156.250MHz)、小尺寸(3.2 x 5mm)、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設計、符合MIL-PRF-55310標準的軍事級篩選測試,以及無鉛和RoHS合規。該系列產品廣泛應用于槍械發射彈藥和系統、智能彈藥、儀器儀表、以太網/同步、SONET、微處理器時鐘等領域。
Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設計中發揮關鍵作用,適用于電源管理、信號過濾等領域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值,低直流電阻(33 mΩ)、高飽和電流(178 A),工作溫度范圍寬(-40℃至125℃),精度±10%至±15%。其緊湊尺寸(10.0x6.0~6.2x12.0mm)和嚴格的質量控制確保了在多種應用中的高效率和可靠性。
Bliley的BOCSE系列非PLL晶體振蕩器穩定性和精確度高,符合高端市場需求,適用于軍事、儀器儀表等多領域。它采用2.5x2.0mm封裝,符合軍用標準,頻率1.5 - 170MHz,溫度穩定性±25 - ±100ppm,電源電壓多樣,工作溫寬(-55°C - +125°C)。具有響應快、輸出穩、相位噪聲和抖動低等性能,通過多項測試且包裝安全。
LS94和SST94是Linear Systems公司生產的單通道P溝道JFET開關,專為超低噪聲音頻/聲學應用設計,可直接替代Toshiba 2SJ94。它們具有高跨導(22 mS)、高輸入阻抗(1 nA)、低電容(32 pF)和多種封裝形式(TO-92、SOT-89、裸片)。電氣特性包括柵極到漏極擊穿電壓25V、柵極到源極開啟電壓0.15V至2V、漏源飽和電流-30 μA至-2.6 mA等。這些特性使得LS94和SST94成為高增益放大應用中的理想選擇,尤其在高輸入阻抗和低噪聲需求場合。
iNRCORE X-1620NL是一款專為惡劣環境設計的小尺寸信號隔離表面貼裝變壓器,具備高隔離電壓(至少3kVrms)、寬工作溫度范圍(-55°C至+125°C)、耐用材料(錫/鉛結構)和濕度敏感性等級3級。其電氣規格包括匝比1CT:1CT(±2%精度)、初級電感至少1mH、最大0.8Ω直流電阻、最大1.2mH漏感、最大25pF繞組間電容和最大10pF初級電容。物理特性為1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸,適合空間受限的應用。該變壓器在高溫、濕度和高電壓隔離方面表現卓越,適用于工業控制、汽車電子和通信設備等高環境適應能力需求場景。
Ampleon的ART1K6PH LDMOS射頻功率晶體管是一款專為工業、科學和醫療(ISM)應用、廣播和通信市場設計的1600W高功率器件,頻率范圍覆蓋1MHz至450MHz。其核心特性包括高擊穿電壓、寬帶操作、簡易功率控制、集成ESD保護以及高效率與熱穩定性,適用于等離子體發生器、MRI系統、粒子加速器、FM無線電、VHF電視、非蜂窩通信和UHF雷達系統等多種應用。技術參數顯示其在高功率輸出下具有優異的功率增益和漏極效率,封裝形式為OMP-1230-4F-1,支持回流/波峰焊接。
Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶體專為抗輻射應用設計,采用高溫電掃工藝的培養石英,能耐受超過100 krad的輻射劑量,保持頻率穩定。特點包括高沖擊電阻、超高可靠性、客戶定制設計、低老化率、嚴格的無塵室生產工藝,適用于軍用和航天級應用,如衛星系統、太空探索任務和深空探測器。
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