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Connor-Winfield VSM61/VSM62/VSM64 6引腳表面貼裝VCXO

2025-02-02 10:01:38

Connor-Winfield的6引腳表面貼裝VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三種型號(hào)，頻率范圍均為2MHz至100MHz，頻率穩(wěn)定性分別為±25ppm、±50ppm和±20ppm。

銅箔在ROGERS高頻電路材料中的使用

2025-02-01 10:32:11

本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類型、表面粗糙度及其對(duì)性能的影響。Rogers提供多種銅箔，包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉(zhuǎn)處理銅箔，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。銅箔表面粗糙度越高，導(dǎo)體損耗越大，影響信號(hào)傳輸效率。Rogers通過優(yōu)化工藝降低粗糙度，提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應(yīng)用于航空航天、通信等領(lǐng)域，為現(xiàn)代高頻電子技術(shù)發(fā)展提供支持。

Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

2025-01-28 10:18:55

Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管，專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有高效率、優(yōu)秀的堅(jiān)固性和寬帶操作能力，內(nèi)部輸入匹配，無需外部匹配網(wǎng)絡(luò)，且符合RoHS合規(guī)性。在VDS = 50V，VGS = -5V，環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應(yīng)用電路中，該晶體管在連續(xù)波(CW)條件下輸出功率為320W，增益為14dB，效率為74%；在CW脈沖條件下輸出功率為350W，增益為14dB，效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝，具有良好的熱特性和電氣特性，適用于RF功率放大器。

JAN1N5195US軍用級(jí)開關(guān)二極管Microsemi

2025-01-22 08:47:23

Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標(biāo)準(zhǔn)的軍用級(jí)開關(guān)二極管，認(rèn)證等級(jí)有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值（@25°C）包括工作和存儲(chǔ)溫度均為 -65°C至 +175°C，浪涌電流（正弦波，8.3毫秒）2A，總功率耗散500mW，最大工作電流200mA，直流反向工作電壓180V。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)方面，采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝，引線材料為銅包鋼，表面處理是錫/鉛，熱阻抗最大70°C/W，極性為帶環(huán)的陰極端。

PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器Princeton Microwave

2025-01-22 08:42:41

Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器頻率6 - 20 GHz，小信號(hào)增益≥40 dB，中頻段噪聲系數(shù)2.5 dB，50Ohm輸入輸出匹配，有內(nèi)部調(diào)節(jié)和偏置排序，無條件穩(wěn)定，密封模塊，工作溫度 -50°C至100°C。

RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835層壓板:高性能電路材料的介紹與應(yīng)用

2025-01-22 08:38:00

RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強(qiáng)型碳?xì)浠衔锖吞沾桑ǚ荘TFE）層壓板，專為性能敏感、高容量商業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能提供卓越高頻性能與低成本電路制造，可用標(biāo)準(zhǔn)FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆，有特定箔厚與電阻值，1oz厚銅箔可特殊訂購。

Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器

2025-01-20 09:03:22

Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行，采用調(diào)諧叉設(shè)計(jì)，具備最快啟動(dòng)時(shí)間與緊湊頻率穩(wěn)定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動(dòng)（典型2 ms）應(yīng)用打造，能在高達(dá) +200°C高溫運(yùn)行且抗沖擊性強(qiáng)。其主要特點(diǎn)有高溫操作、超低電流、快速啟動(dòng)、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造于美國(guó)且提供全面軍事測(cè)試。該振蕩器適用于工業(yè)領(lǐng)域多種設(shè)備，規(guī)格參數(shù)涵蓋頻率、電源電壓、校準(zhǔn)容差、頻率穩(wěn)定性、輸出負(fù)載、老化、沖擊、振動(dòng)及工作溫度范圍等多方面指標(biāo) 。

Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為高性能模擬信號(hào)處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性；電氣性能方面，有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗，具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù)；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng)；適用于音頻放大、精密測(cè)量設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。

Vishay 109D系列濕式鉭電容器

2025-01-16 08:48:27

Vishay 109D系列濕式鉭電容器是面向工業(yè)、汽車和電信應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能電容器，采用燒結(jié)陽極TANTALEX?技術(shù)，有軸向通孔引腳，提供標(biāo)準(zhǔn)錫/鉛（SnPb）和100%錫（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）兩種端子選項(xiàng)，能在 -55°C至 +125°C寬溫度范圍穩(wěn)定工作，還給出了應(yīng)用領(lǐng)域及訂購指南 。

JANTX1N5552軍級(jí)標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管Microsemi 現(xiàn)貨供應(yīng)

2025-01-13 08:58:58

Microsemi公司生產(chǎn)的軍用級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管JANTX1N5552，屬JEDEC注冊(cè)的1N5550至1N5554系列，適用于高可靠性應(yīng)用場(chǎng)合。其性能參數(shù)涵蓋結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度、熱阻等多項(xiàng)指標(biāo)。主要特點(diǎn)有密封玻璃封裝、四層鈍化技術(shù)、內(nèi)部冶金鍵合，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)且有RoHS合規(guī)商業(yè)級(jí)版本，是標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)5A整流器，具備高前向浪涌電流能力等多種優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括軍事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器應(yīng)用場(chǎng)景。封裝類型有通孔封裝和表面貼裝封裝 。

L1807：Focus Microwaves高性能0.7-18GHz諧波調(diào)諧器

2025-01-10 08:34:30

L1807調(diào)諧器采用Focus Microwaves專利技術(shù)M（Multi-purpose tuners），用兩個(gè)寬頻帶探頭可同時(shí)獨(dú)立控制兩個(gè)諧波頻率反射系數(shù)的幅度和相位，廣泛應(yīng)用于高功率/效率射頻放大器設(shè)計(jì)等高級(jí)應(yīng)用，能控制諧波阻抗生成穩(wěn)健晶體管行為模型、幫助了解設(shè)備表現(xiàn)，還可預(yù)匹配阻抗、降低驅(qū)動(dòng)負(fù)載功率；其頻率范圍0.7 - 18GHz，連接器為N型、APC-7，有相應(yīng)高電壓駐波比、諧波調(diào)優(yōu)駐波比等參數(shù)，最大功率427W，重復(fù)性最小-40dB/典型-50dB，重57lbs，尺寸29.081*27.400，另有性能圖表。

QTCV576LDK2-50.000MHz低輪廓5x7mm微型SMD電壓控制晶振

2025-01-09 09:04:14

Q-TECH生產(chǎn)的QTCV576系列是低輪廓的5 x 7mm微型SMD VCXOs，頻率范圍1.000MHz - 156.250MHz，采用陶瓷封裝、鍍金接觸墊，支持多種邏輯類型，供電電壓有3.3Vdc和5.0Vdc，工作溫度-40oC至+85oC，有三態(tài)輸出，提供基本模式和第三泛音設(shè)計(jì)，可進(jìn)行軍事篩選測(cè)試且環(huán)保合規(guī)；應(yīng)用于低電壓設(shè)備、軍用彈藥系統(tǒng)、儀器設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)同步及微處理器時(shí)鐘等領(lǐng)域，還有訂購信息。

DELTA HCME1211F電感器

2025-01-09 08:58:16

DELTA HCME1211F電感器

Microsemi 1N4148UBD軍用級(jí)開關(guān)信號(hào)二極管

2025-01-08 08:48:11

Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116標(biāo)準(zhǔn)的軍用級(jí)開關(guān)/信號(hào)二極管，采用陶瓷體結(jié)構(gòu)、表面貼裝UB封裝，具有低電容、開關(guān)速度快等特性，提供多種極性且有JAN、JANTX和JANTXV級(jí)別認(rèn)證并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)等多種應(yīng)用；有明確的最大額定值（如結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度-65至+200°C等）和電氣特性（如正向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間等）；機(jī)械方面外殼為陶瓷，端子為鎳底層上的金鍍層，重量小于0.04克。

Connor-Winfield PB223低抖動(dòng)LVPECL時(shí)鐘振蕩器

2025-01-08 08:42:17

Connor-Winfield PBxxx系列是5.0x7.0mm表面貼裝、LVPECL輸出邏輯、固定頻率晶體控制振蕩器(XO)，3.3V供電，有使能/禁用功能，適用于需緊密頻率穩(wěn)定性、寬溫范圍和低抖動(dòng)應(yīng)用；輸出頻率122.88 - 170 MHz，不同型號(hào)總頻率容差、操作溫度范圍有別，頻率與供電電壓關(guān)系為±0.5 ppm，供電電流40 - 50 mA，抖動(dòng)、啟動(dòng)時(shí)間有具體指標(biāo)，絕對(duì)最大額定值涉及存儲(chǔ)溫度等；具備多種特性，如3.3Vdc操作、低抖動(dòng)等，且符合RoHS合規(guī)/無鉛，可用于以太網(wǎng)參考時(shí)鐘、高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等，還有訂購指南。

Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4處理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器組是高性能微控制器，核心性能強(qiáng)，搭載240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；內(nèi)存豐富，有多種類型及相關(guān)功能；連接性佳，配備多種接口；模擬功能、定時(shí)器多樣；支持多種加密算法保障安全；具備系統(tǒng)和電源管理功能；有人機(jī)界面相關(guān)功能；多時(shí)鐘源；通用I/O端口多達(dá)172個(gè)；工作電壓2.7至3.6 V，工作溫度范圍為 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多種封裝選項(xiàng)，適用于高性能、計(jì)算密集型、網(wǎng)絡(luò)控制等多種應(yīng)用 。

ARIZONA Capacitors W90系列高壓電容器3000V-150000kV

2025-01-07 08:51:33

ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC，電容值最高可達(dá)2.000 μF，標(biāo)準(zhǔn)容差±10%；工作溫度范圍（G10外殼材料）按不同降額情況有所不同，全額定溫度時(shí)為 -55°C至60°C，30%降額時(shí)為 -55°C至85°C，50%降額時(shí)為 -55°C至105°C，75%降額時(shí)為 -55°C至125°C；絕緣電阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下?lián)p耗因子小于0.6%，經(jīng)過130%額定電壓1分鐘測(cè)試，生產(chǎn)流程符合ISO 9001:2015認(rèn)證，符合MIL-STD-202測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，可按需符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。

PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管NXP現(xiàn)貨

2025-01-07 08:44:03

PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護(hù)設(shè)備產(chǎn)品，采用SOT23封裝，是低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管，用于保護(hù)兩條信號(hào)線免受ESD或瞬態(tài)電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護(hù)、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達(dá)23kV的ESD保護(hù)、低鉗位電壓等，符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；應(yīng)用領(lǐng)域涉及計(jì)算機(jī)和外設(shè)、通信系統(tǒng)、音頻視頻設(shè)備、便攜式電子設(shè)備、手機(jī)及附件、SIM卡保護(hù)等。

PDI VN04系列恒溫晶體振蕩器(OCXO)

2025-01-06 09:11:27

PDI VN04系列是烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)，能在苛刻環(huán)境下確保精確頻率，具有超低相位噪聲、高振動(dòng)環(huán)境表現(xiàn)出色及采用雙重密封石英晶體等特點(diǎn)，可提供定制頻率，且公司提供快速樣品服務(wù)、大規(guī)模生產(chǎn)能力和有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)；產(chǎn)品主要規(guī)格包括尺寸、頻率范圍、輸出類型等多方面參數(shù)，還給出了頻率穩(wěn)定性、頻率調(diào)整、電源功耗、輸出電壓、負(fù)載、相位噪聲等具體指標(biāo)。

ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列Lattice

2025-01-06 09:04:59

iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生產(chǎn)的FPGA和傳感器管理器，專為超低功耗移動(dòng)應(yīng)用（如智能手機(jī)、平板電腦等）設(shè)計(jì)，包含與移動(dòng)傳感器和應(yīng)用處理器接口的集成塊。其特點(diǎn)包括靈活邏輯架構(gòu)（有640或1K查找表兩種設(shè)備）、超低功耗（40納米低功耗工藝，待機(jī)電流35微安）、嵌入式和分布式存儲(chǔ)等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及多傳感器管理、IR遙控等；技術(shù)規(guī)格方面，不同型號(hào)邏輯單元數(shù)量不同，均有14個(gè)EBR內(nèi)存塊等，封裝有16球WLCSP和36球ucBGA兩種選項(xiàng)。