英飛凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS? CFD7 SJ功率器件
發布時間:2023-12-28 10:52:52 瀏覽:3014
英飛凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7擴展了 CFD7 系列的電壓等級產品,是 650 V CoolMOS?? CFD2 的后繼產品。作為英飛凌快速體二極管產品組合的一部分,這一新產品系列融合了快速開關技術的所有優勢以及卓越的硬換向魯棒性。
英飛凌采用 TO-247 封裝的 650V CoolMOS? CFD7 超結 MOSFET IPW65R029CFD7非常適合工業應用中的諧振拓撲結構,例如服務器、電信、太陽能和電動汽車充電站,與競爭對手相比,它能夠顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET系列的后繼產品,它具有更低的柵極電荷、改進的關斷行為和更低的反向恢復電荷,可實現最高的效率和功率密度以及額外的50V擊穿電壓。

功能概要
? 超快體二極管和極低的 Qrr
? 650V擊穿電壓
? 與競爭產品相比,開關損耗顯著降低
? 最低的 RDS(on) 隨溫度變化的依賴性
好處
? 出色的硬換向堅固性
? 為總線電壓增加的設計提供額外的安全裕度
? 提高功率密度
? 在工業SMPS應用中具有出色的輕載效率
? 提高工業SMPS應用中的滿載效率
? 與市場上的替代產品相比,具有價格競爭力
應用
? 電動汽車快速充電
? 服務器電源
? 太陽能系統解決方案
? 電信基礎設施
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