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  MICRON DDR4 內存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區別：16位預取機制（DDR3為8位），在同樣內核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數據標準規范更加安全可靠，數據安全可靠性進一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環保節能。

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  F3L150R07W2E3_B11三級相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌 2024-04-26 09:15:51

  F3L150R07W2E3_B11是英飛凌公司推出的三級相位支路IGBT模塊，特點包括第三代TRENCHSTOP? IGBT技術、低電感設計、低開關損耗和低 VCEsat。優勢在于緊湊設計、降低成本、提高系統可靠性，并提供靈活的配置。