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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  88E3082-C1-BAR1I000以太網收發器Marvell 2023-08-01 16:41:30

  Marvell??Alaska?88E3082和88E3083是根據MarvellDSP的第3代8端口10/100BASE-T迅速以太網（FE）收發器。88E3082-C1-BAR1I000提供行業內最低的功能損耗，各個端口僅有150mW，從而實現相對較高的端口密度和較低的FE交換機成本。