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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Infineon英飛凌射頻變?nèi)荻O管和調(diào)諧器 2023-12-18 08:54:30

  英飛凌在射頻小信號分立式器件方面具備30多年的開發(fā)經(jīng)驗，擁有豐富的專業(yè)技術(shù);我們可提供全面的射頻前端產(chǎn)品組合，包括二極管、晶體管、MOSFET和ESD保護(hù)二極管等。