Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現貨
發布時間:2025-04-17 09:31:20 瀏覽:1993
Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),適用于多種射頻功率應用。
產品概述
型號:CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。
功率:兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。
頻率范圍:覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍,適用于多種通信和雷達系統。
應用場景:支持連續波(CW)和脈沖應用,適合高功率射頻信號的放大和傳輸。
特點與優勢
高功率輸出:在1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率為100 W,能夠滿足高功率射頻應用的需求。
高效率:在100 W輸出功率下,漏極效率典型值為57%,這意味著在高功率輸出時仍能保持較低的能耗。
低熱阻:采用熱增強型封裝,能夠有效散熱,確保在高功率運行時的穩定性和可靠性。
高可靠性:具備出色的堅固性,能夠在復雜的環境條件下穩定工作。
寬帶操作:設計用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍,能夠滿足多種應用需求,如通信、雷達和測試設備等。
符合環保標準:符合RoHS標準,符合環保要求。
參數規格
參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值/額定值 | 最大值 | 單位 |
頻率范圍 | frange | - | 0 | - | 3500 | MHz |
1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率 | PL(1dB) | - | - | 100 | - | W |
漏源電壓 | VDS | - | - | 50 | - | V |
輸出功率 | PL | - | - | 118 | - | W |
功率增益 | Gp | PL = 100 W | 14 | 15 | - | dB |
漏極效率 | ηD | PL = 100 W | 52 | 57 | - | % |
輸入回波損耗 | RLin | PL = 100 W | -12 | -10 | -8 | dB |
Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內的廣泛產品線,適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業等多個領域,深圳市立維創展科技有限公司優勢分銷Ampleon產品線,歡迎咨詢了解。
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