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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時(shí)為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時(shí)），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動(dòng)態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。

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  CLTE-MW? 層壓板Rogers 2023-02-16 16:46:42

  Rogers? CLTE-MW?層壓板是陶瓷填充、玻璃纖維布強(qiáng)化的PTFE復(fù)合材料，適用于5G和其它毫米波應(yīng)用。為PCB設(shè)計(jì)師帶來性能卓越、低成本的材料計(jì)劃方案，特別適用于因物理或電氣原因壁厚受到限制的應(yīng)用。