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Ampleon BLF1043功率晶體管頻率HF-1000MHz

2024-10-11 09:21:07

Ampleon BLF1043是一款用于基站的10W功率放大器，工作頻率范圍HF至1000MHz。其特點包括簡易功率控制、穩定性好、高功率增益（16.5dB）、熱穩定性佳、寬帶操作和SMD封裝，適用于基站RF功率放大器（如GSM、EDGE、CDMA）、多載波應用（800-1000MHz）和廣播驅動器。技術參數包括1000MHz頻率范圍、1dB增益壓縮點10W名義輸出功率、16.5dB功率增益、38%漏極效率和-25dBc三階互調失真。

BAR88-02V硅PIN二極管Infineon英飛凌

2024-10-11 09:18:30

Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設備設計，具有低正向電阻（1 mA時為1.5Ω）、低電容（0.28 pF@1 GHz）、極低信號失真和無鉛RoHS封裝。適用于無線通信（如手機、WLAN）和高速數據網絡（如LTE、5G），技術參數包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復時間。因其高速開關和低信號失真特性，符合綠色制造標準。

Solitron小信號JFETs

2024-10-10 09:12:33

Solitron公司生產的JAN/JANTX/JANTXV標準小信號JFETs，提供N型和P型兩種類型，導通電阻小于25Ω，經過S級等效篩選，是Vishay和Siliconix產品的優越替代品。

Vanguard Electronics共模扼流圈電感器

2024-10-09 09:52:35

Vanguard Electronics推出了新的共模扼流圈電感器系列，這些電感器設計用于在惡劣環境下工作，頻率覆蓋100KHz至600KHz以上。它們具有緊湊設計、多種尺寸選擇、-55°C至125°C的寬溫工作范圍和多種電感電流組合。SCMN系列還符合MIL-STD-981標準，適合軍事和高端工業應用。

PDI L4系列石英晶體振蕩器

2024-10-09 09:44:32

PDI L4系列石英晶體振蕩器提供密封石英晶體和多種封裝選項，支持客戶定制頻率和參數。其頻率范圍廣，穩定性高，具有定制的頻率容差、等效串聯電阻和負載電容，老化率低，尺寸緊湊，適用于通信、醫療、工業控制、汽車和消費電子等多個領域。

HCME0995大電流SMT功率電感器DELTA臺達

2024-09-29 10:24:01

HCME0995大電流SMT功率電感器是臺達（DELTA）公司推出的一款高性能電感器，專為高電流應用設計。該電感器具有緊湊的表面貼裝封裝，能夠有效降低電路中的電流噪聲和電磁干擾，確保設備的穩定性和可靠性。其核心材料和繞組設計使得它在高頻率下也能保持優良的性能，適合于開關電源、DC-DC轉換器等多種應用場景。

BLA6G1011LS-200RG航空電子功率晶體管Ampleon

2024-09-29 10:09:29

Ampleon的BLA6G1011LS - 200RG是一款200W專為航空電子應用設計的LDMOS功率晶體管，工作頻率在1030 MHz至1090 MHz，具有如28V電源電壓、100 mA靜態電流、200W輸出功率、20 dB功率增益、65%效率等典型性能參數，還有易于電源控制、集成ESD保護、增強堅固性、高效率、優異熱穩定性、專為寬帶操作、內部匹配易用、符合RoHS指令等特點優勢。

WYO222MCMBF0KR陶瓷圓盤高頻電容器VISHAY

2024-09-29 10:06:08

WYO222MCMBF0KR是VISHAY生產的單層陶瓷電容器，由兩面鍍銀陶瓷盤構成，連接引線為直徑0.6毫米鍍錫銅線，有直線或扭結引線兩種形式、5.0毫米或7.5毫米的引線間距，外部涂層為藍色阻燃環氧樹脂。它符合相關標準，具有高可靠性、多種特性，電容范圍1.0 nF - 12 nF、公差±20%，絕緣電阻等參數明確，額定電壓因應用類別而異，還有不同的測試電壓，適用于多種場景。

Rogers curamik Performance?基板

2024-09-26 10:41:35

Rogers curamik Performance基板為高性能電子基板，采用活性金屬釬焊工藝與銅焊接的Si3N4陶瓷材料，適用于汽車電力電子等需長壽命、高功率密度和高穩定性的場景，有熱導率高（20°C時達90W/mK）、6種厚度選項、特定熱膨脹系數（20 - 300°C為2.5ppm/K）等特性，具備高性能應用、高功率密度、成本與性能平衡等優勢，還有母板尺寸、最大可用面積、銅剝離強度以及銅線寬度/間距等相關參數。

IR2104STRPBF柵極驅動器IC Infineon英飛凌

2024-09-23 09:54:33

IR2104STRPBF是一款600V半橋柵極驅動器IC（可選8引腳SOIC或PDIP封裝），適用于IGBT和MOSFET驅動。它有諸多主要特點，如專為自舉操作設計的浮動通道、能在600V下完全運行、對負瞬態電壓容忍度高、不受dV/dt影響、柵極驅動供電電壓10 - 20V、有欠壓鎖定功能、兼容多種邏輯輸入、防止交叉傳導邏輯、雙通道匹配傳播延遲、內置死區時間、高邊輸出與輸入同相、有關斷輸入可關閉雙通道等。

Broadcom BCM85667：高性能16通道PCIe Gen6與CXL3.1重定時器

2024-09-19 09:38:34

Broadcom BCM85667是一款高性能的16通道PCIe Gen6和CXL 3.1集成MAC和PHY重定時器，具備低功耗和低延遲特性。它支持多種數據速率，擴展信號損耗超過36 dB，并提供靈活的通道配置和多種電源模式。設備還集成了多項高級功能，如動態偽端口、I2C/SPI接口、環回測試等，采用5nm CMOS工藝，功耗僅為13瓦，適用于HPC、AI服務器等高要求場景。

DATEL HB24S3.3-70 HB系列DC-DC電源模塊350W

2024-09-19 09:35:53

DATEL HB系列DC-DC電源模塊采用標準全磚封裝，輸出功率高達350W，具備92%高效率、高功率密度和1500V直流隔離，支持70A輸出電流和18至75V寬輸入范圍，適用于-40°C至+100°C的極端溫度環境，并提供遠程開/關、遠程感應、電壓調整及多重保護功能。

IR21844SPBF 600V半橋柵極驅動器IC

2024-09-18 09:39:31

IR21844SPBF 是一款專為驅動 IGBT 和 MOSFET 設計的 600V 半橋柵極驅動器 IC，具備高電壓容限、低傳播延遲和雙通道欠壓鎖定功能，適用于電機控制和電源應用。其主要特性包括 600V 電壓等級、1.9A 拉電流和 2.3A 灌電流輸出、多種封裝形式（14 引腳 SOIC、14 引腳 PDIP、8 引腳 SOIC、8 引腳 PDIP）、10V 至 20V 柵極驅動電壓范圍、3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容性、雙通道欠壓鎖定功能（VCC 和 VBS）、以及較低的 di/dt 柵極驅動器設計。該器件適用于電機控制、電動工具、電源集中式逆變器解決方案和家用電器等多種應用。

MTI-Milliren 230系列OCXO恒溫晶振

2024-09-13 09:19:50

MTI-Milliren 230系列OCXO是一款緊湊、高性能的恒溫晶振，具有高熱穩定性和低相位噪聲，適用于GPS接收器、蜂窩基站、PCS、GMS、CDMA網絡、加密系統和儀器儀表等高精度應用，并可根據用戶需求定制性能參數。

CXOLHT高溫晶體振蕩器16kHz-50MHz STATEK

2024-09-13 08:59:11

STATEK CXOLHT振蕩器16kHz-50MHz是一款專為高溫應用設計的高性能石英晶體振蕩器，特點包括快速啟動（4.0 ms）、高沖擊抗擾度（100,000 g）、高溫穩定性（高達200°C）、超低功耗（32.768 kHz時小于20 μA）、低老化、采用3.2 x 1.5 mm密封陶瓷封裝。主要應用于高溫、工業及航空電子設備、井下儀器、地下鉆探工具、地熱及測井鉆孔工具（MWD）等領域。

PMTA-0618-40-1.8低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-09-12 09:07:21

Princeton Microwave Technology的PMTA-0618-40-1.8低噪聲放大器是一款頻率范圍為6至18 GHz的高性能設備，提供高達40 dB的小信號增益和低至1.8 dB的噪聲系數，適用于通信、雷達、衛星等高要求系統。其特點包括50 Ohm匹配、內部電壓調節、無條件穩定性和密封模塊設計，確保在惡劣環境中的可靠性和卓越表現。

Lattice LC4256V-75TN176C復雜可編程邏輯器件(CPLD)

2024-09-11 09:25:56

Lattice半導體公司的LC4256V-75TN176C是一款高性能復雜可編程邏輯器件(CPLD)，屬于ispMACH 4000V/B家族，符合RoHS標準，包含16個邏輯模塊、4個全局時鐘和2個I/O Bank，程序存儲類型為EEPROM，內置防振器，提供256個宏DB、80個宏單元、576個寄存器和128個用戶I/O，最大頻率168 MHz，速度等級75，支持3.3 V電源電壓，靜態功耗5 mA，工作溫度0至90℃，采用176引腳TQFP封裝，適用于工業控制和通信系統。

IRF540NPBF單N溝道功率MOSFET

2024-09-11 09:17:13

IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的N溝道功率MOSFET，額定電壓為100V，最大漏極電流33A，功耗140W，結溫175°C，具有寬安全工作區和高電流處理能力。該器件優化了低頻應用性能，符合JEDEC標準，廣泛應用于直流電機驅動、逆變器、開關電源、照明系統和負載開關等高功率場景。

Bliley BXFMTE-XXXM-XXCB晶體濾波器

2024-09-10 09:12:56

Bliley Technologies 的 BXFMTE-XXXM-XXCB 晶體濾波器，高性能，適用于航空、衛星通信和雷達等領域。中心頻率 1.5 MHz 至 125 MHz，帶寬 3 kHz、6 kHz 或 15 kHz，工作溫度-55°C 至+125°C。性能規格：頻率容差±11.5 ppm（@ +25°C），頻率穩定性±10 至±50 ppm，插入損耗最大 3 dB，停止帶衰減最小 70 dB。符合 MIL-STD-202 標準，適用于震動和沖擊環境，有多種工作溫度選項。

Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET

2024-09-10 09:10:21

Solitron SMF473 是一款400V N溝道功率MOSFET，專為高功率應用設計，具有低R DS(on)（400V時40mΩ，10V時22mΩ）、高耐壓（400V）、高輸入和輸出電容（C iss 2900pF，C oss 3900pF）以及低反向恢復電荷（Q rr 22nC）。其連續漏極電流ID為23A，脈沖漏極電流IDM為92A，最大功率耗散P為250W，線性降額因子2W/°C，工作溫度范圍-55°C至150°C。